星，SK入台积电为反超三4E上引在HBM艺海力士或3nm工

这使得他们有些尴尬，为反现在SK海力士看到自己落后了这么多，超星其拿下了英伟达HBM订单的海力至少2/3，

在数据中心大量需要HBM内存的士或上引情况下， 

在HBM4产品上，入台于是积电有引入台积电3nm制程生产逻辑芯片的打算。所以不管是工艺3nm还是12nm制程都会被考虑进来。业内人士称，为反而三星和美光则分别只有22%和21%。超星SK海力士的海力营收市占率达57%，但其实，士或上引

SK海力士在CES2026上展示的入台HBM4

据韩国《朝鲜日报》报道，客户会选择根据自己的积电需求来定制逻辑芯片，远高于三星。工艺SK海力士的为反HBM4性能却不如三星，SK海力士正在考虑引入台积电的3nm工艺作为HBM4E逻辑芯片的主要制造工艺，SK海力士才是HBM市场的老大。考虑到英伟达下一代的顶级AI芯片Vera Rubin Ultra版本大概率会用到更先进的HBM4E，但在市场风评中，上3nm制程会是必选项。因为他们提供给英伟达的HBM4采用10nm级第五代（1b）DRAM核心芯片和基于台积电12nm工艺的逻辑芯片，在目前“定制化HBM”风潮下，

不过业内人士指出，也决心提高自己产品的性能，所以把稳定性和良率放在重点。SK海力士是英伟达的最大供应商。SK海力士如果不希望订单被三星抢走，在HBM4E上将着重提升性能，结结实实地抢了SK海力士的风头。但毕竟SK海力士要大批量供货，去年第三季度，三星都已经在英伟达GTC2026大会上秀出自己的HBM4E了，三星也是业内首个量产出货HBM4的公司，SK海力士看着能不着急吗？

以夺回被三星抢走的风头。而三星则是10nm级第六代（1c）DRAM工艺的核心芯片和4nm工艺的逻辑芯片，从制程上就可以看出三星的HBM4性能会更优秀，三星可以说是出尽了风头。